是的。对于硬开关电路，每次MOS管开关的时候，都有开关损耗，这个开关损耗是与频率成正比的，频率越高开关损耗自然越大，mos就会越热。即使是软开关，MOS管还有一个驱动损耗，就是MOS管的栅极电容充放电损耗，这个也是与频率...

因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。这一现象明显说明变压器的初...

IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性。不同代际IGBT芯片产品对比随着技术的升级，IGBT芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，断态电压由第一代的600V升...

理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的；常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高…具体参数可以根据型号在百度...

当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易，但是不能自行关断；IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。

一般是由IC决定的，这种小功率的产品大部分做的是定频，有的可以外部设定，但主要还是驱动决定。当然自激式的电路除外，因为它不用IC的。20W以内的采用50k-100k都是可以的了。先确定用什么芯片，然后根据芯片资料做就好了...

1、首先在Simulink中新建“NewModel”，搭建无源单相全桥逆变电路，如下图所示。2、对单相全桥逆变的触发脉冲电路，如下图所示。3、其中，载波模块和调制波模块的参数设置分别如下：（调制波频率为50Hz，载波频率为5kHz）。

受。铁硅铝磁环受mos开关频率的影响，当mos管的温度过高时，铁硅铝磁环其内部电路会受到影响，从而导致其开关频率下降，所以铁硅铝磁环受mos开关频率的影响。

VF是1.7V，应该选用没有反恢复时间的肖特基或超快恢复二极管（35nS以下）。同时像这么高频率的电源都是低压的，二极管耐压可选低，这样VF就低了，效率就上去了。MOS速度是跟得上去的，也主要是Rdson，与耐压。

3、其中,载波模块和调制波模块的参数设置分别如下:(调制波频率为50Hz,载波频率为5kHz)。4、运行后,即可得到输出的波形,可以得到50Hz,如下图所示就完成了。已赞过已踩过<你对这个回答的评价是?评论收起推荐...