18N60场效应管参数如下：1、最大漏极电压（VDSS）：600V。2、最大漏极电流（ID）：18A，3、最大功率（PD）：200W。4、静态漏极电阻（RDS(on)）：0.5Ω。5、开启时间（tON）：15ns。6、关闭时间（tOFF）：100ns。

1、电压等级电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。需要注意的是VDS与温度有关，因此应考虑器件的温度系数。

二、ao3400场效应管参数：1、输入电阻：在额定电压下，输出电压与输入电压的比值叫输出电容的直流电阻，单位为欧姆.厘米.伏特（Ω/cm），用字母R表示。当负载是感性或容性时，r的单位为千欧.米.（Km）。2、电流：在额...

IRFP250N场效应管参数简介IRFP250N是一款N沟道MOSFET器件，具有极低的导通电阻和高的开关速度，常用于功率放大器、开关电源、DC-DC变换器和PWM调光等领域。该器件最大耐压为200V，最大漏极电流为30A，最大功率损耗为180W...

根据相关公开资料查询了解到，k150e09ne场效应管的参数为耐压:100V，电流:100A，T0-220封装，N沟道场效应管。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管，简称MOSFET。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”（...

；电压最高：400V；功耗：2.5W；封装类型：TO220；针脚数：3；晶体管类型：MOSFET；满功率温度：25°C。IRF740属于Vishay的第三代PowerMOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

基本参数：ME04N25-G，SOT-252，松木，SMD/MOS，N场，250V，3.3A，1.8Ω详细参数：品牌：松木型号：ME04N25-G种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方版式：增强型用途：S/开关封装外形：SMD(SO)/表面封装材料...

封装TO-220AB，参数VDSS=55V，ID=75A，RDS(on)=6.5mΩ，170W。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要...

△V(BR)DSS/△Tj:漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃.RDS(on):在特定的VGS(一般为10V)、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET...