SiCMOS的IDM模式要等更久,相对更快的反而是Fabless企业,瞻芯、瀚薪等fabless,找台湾的汉磊代工,开始有些碳化硅MOS在OBC和电源上面量产了,主要因为国内Fab厂商不成熟(栅氧化层、芯片减薄还不成熟),相对海外厂商工艺更好,国内落后三年...

基本半导体BASiC设计生产的SiCMOSFET与国际主流产品特性相近，需要驱动传输延时小，上升下降沿速度快，功率管的驱动电压选择要合适，布线要注意电源抗干扰能力强.

常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅（SiC）。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅（SiC）器件、电压检测、控制产品乃至...

大多数Si管子手册正负压绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。实验中为了可靠关断，可以加一定的负压（实际实验中还会有开通关断瞬时振荡），但负压如果超过了...

SICMOS的产品稳定性需要时间验证:根据英飞凌2020年功率半导体应用大会上专家披露,目前SiCMOSFET真正落地的时间还非常短,在车载领域才刚开始商用(Model3中率先使用了SICMOS的功率模块),一些诸如短路耐受时间等技术指...

成为下一代电力电子器件。现在，不少电力设备设计与制造单位都在积极研发中，原有设备的更新设计方案中也用碳化硅二极管取代原来的肖特基二极管。在军工企业，碳化硅二极管也受到很大的重视。前途不可限量。

再加我们的低电感RP包，这些二极管可以用在任向数量的快速开关二极管电路或高频转换器应用。4.工业优势碳化硅二极管：重型电机、工业设备主要是用在高频电源的转换器上，可以带来高效率、大功率、高频率的优势。

300VSiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200VSiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大...

2开关电源技术的亮点2.1功率半导体器件性能1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“超级结”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途...

1、整流（交流变直流）将交流电变换为直流电称为AC/DC变换，这种变换的功率流向是由电源传向负载，称之为整流。2、变频（交流变交流）变频就是改变供电频率，从而调节负载，起到降低功耗，减小损耗，延长设备使用寿命等作用。