1、水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动，没有泄露;2、水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下，水的折射率是1.44，可以实现NA大于1。图3.15是浸没式光刻机曝光头的示意图。去离子水经过进一步去杂质、去气泡(degassing...

台积电的7nm工艺分为第一代7nm工艺（N7）、第二代7nm工艺（N7P）、7nmEUV（N7+）。其中，N7和N7P使用的是DUV光刻，为了用DUV制作7nm工艺，除了使用沉浸式光刻外（193nm波长的浸润式光刻机，通过水的折射，最终波长...

上海微电子目前已经量产最先进的SSA600/20系列光刻机，依旧采用的是193nmArF光源技术，可用于低端的90nm芯片，更重要的是上海微电子的光刻机设备掌握着国内低端光刻机设备领域近80%市场份额；而根据国内官方媒体最新报道，...

duv：光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。euv：激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。3、光路系统不同duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使...

这个站在产业链顶端的大佬，在美国面前也是小弟。一家荷兰企业，为什么要听美国的？上世纪80年代，在光刻机市场，日本尼康一家独大。彼时，阿斯麦的市场份额不足10%。但不管是尼康还是阿阿斯麦，光刻机的光源波长都卡在193nm...

3、光路系统不同。duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。极紫外光刻（ExtremeUltra-violet），...

阿斯麦DUV光刻机2000i型号的分辨率和阿斯麦DUV光刻机1980Di型号是相同的，都是支持到38nm的最大分辨率。它们都采用了相同的193nm的深紫光源，具有相同的光学及量产指标。DUV光刻机的分辨率是指在曝光过程中，能够清晰显示出...

EUV光刻机的光源来自于美国的Cymer，这个13.5nm的极紫外线其实是从193nm的短波紫外线多次反射之后得到的。光刻机的分类：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1、手动指的是对准的调节方式，是...

duv:主要利用光的折射原理。其中,浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间,填入去离子水,使得193nm的光波等效至134nm。euv:利用的光的反射原理,内部必须为真空操作。抢首赞已赞过已踩过<你对这个回答的评价是?评论分享复制...

荷兰和日本。最大的光刻机制造商是荷兰ASML，这是一家总部设在荷兰埃因霍芬（Eindhoven）的全球最大的半导体设备制造商之一，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市。产品...