谢谢～1、用霍尔效应：两端通电，在内部会形成稳定电流，但在半导体的上下表面是没有电位差的；然后在半导体的两个对面的侧，加一个面磁场，这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差（因为内部的载流子在磁场作用下发生了...

直接迁移型半导体即直接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶都在Brillouin区中的同一点（即波矢相同）。半导体价带顶的电子获得足够的能量之后，可直接跃迁到导带底，并产生电子-空穴对；相反，导电电子与价带空穴...

一般情况下，ND<NC或NA<NV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费米能级位于...

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料...

一、N型半导体N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高.对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、...

如果外来激发能量较大，比如用于照射的光子能量增大，也可以使间接禁带半导体（某些）产生直接激发，以及发射。不过这样做的话，势必使采用这种材料做成的器件，效率较低。最有效的激发是：电子从价带顶部激发到导带底部，并且K...

1、能带结构不同。直接半导体材料的能带结构中，导带底部和价带顶部的能量差非常小，因此电子在受到激发后可以直接跃迁到导带中，形成电子空穴对，同时释放出光子。这种材料的光电转换效率高，适用于制造激光器、LED等光电器件。

用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,拇指为电场方向,拇指指向负电荷一侧,此时为P型半导体,空穴型.若方向正好相反,则为N型半导体,也是电子型.

一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。这种情况下，间接带隙半导体对光的吸收取决于初始能级的电子密度，终止能级的电子...

直接复合和间接复合在半导体器件中的作用如下：1、直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合。2、间接复合：电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）。复合。有体内复合和表面复合。