即整个半导体内部的正电荷浓度等于负电荷浓度，所以电中性。问题二至于NP=Ni^2,这个问题涉及到半导体内部电子，空穴浓度计算公式和费米能级的问题，需要经过一定推到，由于公式不太好些，我就不写了，楼主可查看国防工业出版...

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

首先考虑电中性条件，设正离子填隙密度为N，电子载流子密度为n，空穴载流子密度为p。有p+N=n;再考虑热平衡条件，np==ni^2;联立即可解得n>ni,即掺杂后电子密度大于原电子密度。注意这里电中性条件适用范围是整个半导体...

1、温度较低，杂质电离很弱，电子浓度很低。2、温度升高，杂质较多电离，电子浓度迅速增加。3、根据电中性条件，分析n型或p型半导体在低温弱电区、中间电离区、强电离区、过渡区、高温本征激发区下的费米能级变化。

等式里的n0），一部分是受主杂质和Si作用产生的（Na，即受主杂质带的电子）。总之，在这样一块P型半导体里，只有热运动产生的空穴和电子，以及受主和硅作用产生的空穴和电子，你把它们对应进等式，就明了了。

n型半导体中存在着带负电的导带电子(浓度为n0)、带正电的价带空穴(浓度为p0)和离化的施主杂质(浓度为nD+)，因此电中性条件为一般求解此式是有困难的。实验表明，当满足Si中掺杂浓度不太高并且所处的温度高于100K左右的...

杂质半导体载流子浓度(n型)n型半导体中存在着带负电的导带电子(浓度为n0)、带正电的价带空穴(浓度为p0)和离化的施主杂质(浓度为nD+),因此电中性条件为一般求解此式是有困难的。实验表明,当满足Si中掺杂浓度不太高并且所处的...

因整个报导体满足电中性条件，势垒区内电荷总量相等，即:n区均匀施主杂质浓度Xn区空间电荷区的宽度=p区均匀受主杂质浓度Xp区空间电荷区的宽度所以掺杂浓度越高，空间电荷区即耗尽层的越窄。具体推导参阅刘恩科半导体物理学...

成立本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度，且n=p=ni，且np=ni平方。而有杂质时np=ni平方仍成立，以n为多子，注，此时无本征载流子ni，都是热平衡载流子n0，p0。它们乘积=无杂质时ni平方。

空间电荷区当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件...