IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（320560V;540100V)如果耐压满足的话就选3205。频率最大可到100K，一般选50K较合适。

300KH的话，mos倒是完全没有问题，但是输出5V有点太低，540在运行的时候可能发热严重

用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的...

IRF840NPBF的Id电流小8A，承受的冲击电流小30A，Vds电压在500V(这个相对较高)，测试时的功率125W，控制电压±20V(导通电压2V到4V)，开关频率相对低点。网页链接总的来说，840适合做高电压的开关管，540适合做电流高的...

IRF540100V28A150W**NMOS场效应IRF530100V14A79W**NMOS场效应IRF440500V8A125W**NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF230200V9A79W*...

IRF540的最大承受电压为100V，最大电流为33A，静态电阻较大，开关速度较慢，主要适用于低频开关电路。H20R1203的最大承受电压为1200V，最大电流为20A，静态电阻较小，开关速度较快，主要适用于高频开关电路和大功率开关电路...

540用1MHz信号，速度太快了吧

型号:IRF540N描述:HEXFET®PowerMOSFETN-channel封装:TO-220ABVDSS=100VRDS(on)=44mΩID=33A型号:IRL540N描述:HEXFET®PowerMOSFETN-channel封装:TO-220ABVDS...

2、Irf540：Irf540的允许持续电流为27a二、不同开路电阻1、Irf530:Irf530的开路电阻为90.0mΩ2、Irf540:Irf540的开路电阻为40.0mΩ三、不同满功率温度1、Irf530:Irf530的全功率温度为24.7°C2、Irf540...

不能通用。区别：1、性质不同：IRF虚拟化技术的英文简称，是当前企业IT技术领域的关注焦点。irf540n的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY，封装类型为TO-220AB。2、特点不同：irf540nIRF在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个...