IRF540是场效管不可用L7805(三端稳压块）代换，IRF540是一个大电流（30A）、较高耐压（100V）、低导通电阻（0.077Ω）的N沟道场效应管。代换型号IRF650,28A,200V，在逆变器上可用IRF3205场效应管参数：N沟...
IRF540和H20R1203都是N沟道MOSFET晶体管，它们的主要区别在于最大承受电压、最大电流和开关速度等方面。IRF540的最大承受电压为100V，最大电流为33A，静态电阻较大，开关速度较慢，主要适用于低频开关电路。H20R1203的最大...
如果是小功率的N沟道增强型场效应管，可以用NPN型三极管来勉强替代。但是象IRFZ44这样的大功率MOS管，它的导通电阻很低，三极管和它的差异就比较大，你的电源电压只有3.7V，三极管的饱和压降就会对电路的效率产生明显的影响。
没有区别，电流20A，耐压1200V，可以互换。知识点延伸：IRF540与H20R1203是电磁炉中的IGBT，IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。H20R1203可代用管：IRF540、25N120、25T120、H20R1...
IRF530NMOSGDS功放开关100V14A79W51/36nS0.18IRF540NMOSGDS功放开关100V28A150W110/75nS0.077不能，540可以替换530，530不能替换540
IRF448500V9.6A130WTO-3封装IRF540100V33A130WTO-220封装电流电压封装都不一样，无法替换。
基本可以,不过代换以后,IRF0的发热会高一些。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-...
Pd）：2.5W导通电阻（Rds）：28mΩD1616可用于开关电源、逆变器、电机控制等电路中。需要代换，考虑使用参数相近的别的N沟道增强型场效应管，例如IRF540、IRF0、2N7002等。在代换时，注意参数的匹配和电路的兼容性。
场效应管IRFZ44可以用IRF540N三极管代替。产品型号：irf540n生产厂家：SANYO、IR、VISHAY描述：晶体管极性:N沟道漏极电流,Id最大值:33A电压,Vds最大:100V开态电阻,Rds(on):0.04ohm电压@Rds测量:10V...