是N沟道场效应管，可以用来做电子开关。

IRF540和H20R1203都是N沟道MOSFET晶体管，它们的主要区别在于最大承受电压、最大电流和开关速度等方面。IRF540的最大承受电压为100V，最大电流为33A，静态电阻较大，开关速度较慢，主要适用于低频开关电路。H20R1203的最大...

这就是一个大电流（30A）、较高耐压（100V）、低导通电阻（0.077Ω）的N沟道场效应管。用法和其他N沟道场效应管差不多。

没有驱动电压，irf540也是增强型的，必须有Ugs才能导通，Ugs需要大于Uth.

Irf530和irf540不是通用的。不同的是：不同的持续电流，不同的开路电阻，不同的满功率温度。一、不同持续电流1、Irf530:Irf530的允许持续电流为17a2、Irf540：Irf540的允许持续电流为27a二、不同开路电阻1、Irf...

不能通用。区别：1、性质不同：IRF虚拟化技术的英文简称，是当前企业IT技术领域的关注焦点。irf540n的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY，封装类型为TO-220AB。2、特点不同：irf540nIRF在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个...

可能是电路设计问题。一般来说晶体管驱动电磁线圈，必须要在线圈两端并联续流二极管，以消除晶体管关断时，线圈产生的反峰电压击穿晶体管。还可以在晶体的集电极（或漏极）并接压敏器件，或阻容网络这是电路设计常识。

IRF840NPBF的Id电流小8A，承受的冲击电流小30A，Vds电压在500V(这个相对较高)，测试时的功率125W，控制电压±20V(导通电压2V到4V)，开关频率相对低点。总的来说，840适合做高电压的开关管，540适合做电流高的开关管。但...

没有区别，电流20A，耐压1200V，可以互换。知识点延伸：IRF540与H20R1203是电磁炉中的IGBT，IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。H20R1203可代用管：IRF540、25N120、25T120、H20R...

开30ns，关40ns,开关一个周期70ns，换算一下最大值有十几兆，一般像做恒流源之类理论值是越大越好，但是各方面的，一般都是取单片机的最大咯！个人见解而已！