不一样，电势一样了，电子还会移动么？？

大概就是金属（Metal）和半导体（Semiconductor）接触（MS接触）的时候，两边电势不同，可以分为4种情况。先简单说明下别的：功函数，就是E0（电子能量）和Ef（费米能级）能量只差，就是电子在介质内部逸出到介质之外需要的...

由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源...

霍尔效应是说半导体中的载流子（电子，空穴）在磁场中运动由于受到洛伦磁力而发生偏转，导致在半导体两面上的堆积而产生电势差。如图，电流向右，我们先来分析带正电的空穴，使用右手定则，大拇指向上，说明空穴在磁场中向上偏转...

在不加电压得情况下半导体表面与内部得电势差为这时势垒高度为,加正压(金属一边为正)后,势垒高度为,因为加正压后势垒高度降低,从半导体到金属得电子流增大,而电子从金属到半导体得流密度不变。这样就形成从金属到半导体得电流...

如果N型半导体串联在电路里面，它的带电粒子就是电子，电子就会往电路里面高压（高压就相当于正电荷）的一方移动，就会形成完整电路，P型半导体正好相反，空穴能吸收电子，就相当于空穴往低压一方移动。

有，N型半导体和P型半导体掺杂物不一样，结合在一起形成PN型半导体，中间会形成PN结

这些电子就会脱离轨道而成为自由电子,并在原来的位置上留下一个“空穴”,在纯净的硅晶体中,自由电子和空穴的数目是相等的.如果在硅晶体中掺入硼、镓等元素,由于这些元素能够俘获电子,它就成了空穴型半导体,通常用符号P表示...

从电子填充的角度：由于电子能级填充满足费米狄拉克分布，那么大于0K情况下填充概率为0.5时的能量就是费米能级。这是半导体中常用考虑的角度。接触时由于电子能量的差异，电子会从费米能级高的地方流向费米能级低的地方。

简介在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集。此时电场将会使后来的...